характеристика при обратном смещении
- характеристика при обратном смещении
- atgalinė charakteristika
statusas T sritis automatika
atitikmenys: angl. reverse characteristic
vok. Sperrkennlinie, f
rus. характеристика при обратном смещении, f
pranc. caractéristique de polarisation inverse, f
Automatikos terminų žodynas. – Vilnius: Technika.
Vilius Antanas Geleževičius, Angelė Kaulakienė, Stanislovas Marcinkevičius.
2004.
Look at other dictionaries:
Sperrkennlinie — atgalinė charakteristika statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f … Automatikos terminų žodynas
atgalinė charakteristika — statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f … Automatikos terminų žodynas
caractéristique de polarisation inverse — atgalinė charakteristika statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f … Automatikos terminų žodynas
reverse characteristic — atgalinė charakteristika statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f … Automatikos terminų žodynas
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Pin диод — Функциональная структура pin диода … Википедия
Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… … Большая советская энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия