характеристика при обратном смещении

характеристика при обратном смещении
atgalinė charakteristika statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f

Automatikos terminų žodynas. – Vilnius: Technika. . 2004.

Игры ⚽ Нужна курсовая?

Look at other dictionaries:

  • Sperrkennlinie — atgalinė charakteristika statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

  • atgalinė charakteristika — statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

  • caractéristique de polarisation inverse — atgalinė charakteristika statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

  • reverse characteristic — atgalinė charakteristika statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. reverse characteristic vok. Sperrkennlinie, f rus. характеристика при обратном смещении, f pranc. caractéristique de polarisation inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

  • ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Pin диод — Функциональная структура pin диода …   Википедия

  • Электронно-дырочный переход — (p n переход)         область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… …   Большая советская энциклопедия

  • P — n-переход — (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… …   Википедия

  • Р — n-переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

  • Электронно-дырочный переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”